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10
9
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7
USE DMP56D0UFB
100
DMP57D5UFB
6
5
V GS = -2.5V
10
T A = 125°C
T A = 150°C
4
3
2
1
0
V GS = -4.5V
V GS = -10V
1
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.001
0.01
0.1
1
0
0.1
0.2 0.3 0.4 0.5
2.0
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
35
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.8
1.6
V GS = -4V
30
25
C iss
1.4
I D = -100mA
20
f = 1MHz
1.2
1.0
0.8
V GS = -2.5V
I D = -100mA
15
10
5
V GS = 0V
C oss
C rss
0.6
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
5
10 15 20 25 30 35
40
1
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
0.5
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Capacitance
0.9
0.8
0.7
I D = -250μA
0.4
0.3
0.2
T A = 150°C
T A = 125°C
0.6
0.1
T A = 85°C
T A = 25°C
0.5
0
T A = -55°C
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.3
0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMP57D5UFB
Document number: DS31274 Rev. 6 - 3
3 of 5
www.diodes.com
December 2012
? Diodes Incorporated
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